سامسونج بدأت تصنيع معالجات 4 نانومتر وستعمل على إطلاق معالجات 2 نانومتر في 2025

كشفت شركة سامسونج عن خططها المستقبلية لتصنيع المعالجات التي ستضم رقاقات مبنية على 4 نانومتر و3 نانومتر و2 نانومتر خلال العام الحالي والسنوات الأربع المقبلة.

وقالت الشركة خلال منتدى Samsung Foundry Forum 2021 الذي نظمته، إنها تسعى لإيصال أحدث التقنيات بسرعة للمستخدمين بالتزامن مع الطلب الهائل على رقاقات المعالجة في العالم، بالرغم من العراقيل التي فرضها وباء كورونا.

وبدأت خطط الشركة الكورية، التي تعتبر أكبر مصنعي رقاقات المعالجة في العالم حاليًا، بتصنيع معالجات 4 نانومتر في الوقت الحالي، ثم ستتبعها بتصنيع معالجات 3 نانومتر في النصف الأول من 2022، والجيل الثاني من 3 نانومتر في عام 2023. وأشارت الشركة كذلك إلى المعالجات بتقنية 2 نانومتر مازالت في مراحل تطويرها المبكرة، لكن سيتم بدء تصنيعها بحلول 2025.

وأوضحت سامسونج كذلك استخدامها بنية Gate-All-Around (GAA) الهندسية المعروفة باسم MBCFET في تطوير المعالجات المستقبلية، التي ستوفر بدورها مساحة أقل بنحو 35% مقارنة مع معالجات 5 نانومتر بتقنية EUV، وفي نفس الوقت ستوفر أداءً أعلى بنحو 30%، واستهلاك أقل في الطاقة بنحو 35%.

الخط الزمني لتصنيع معالجات سامسونج باستخدام بنية MBCFET:

• عام 2021 البدء بتصنيع معالجات 4 نانومتر.
• النصف الأول من 2022 بدء تصنيع معالجات 3 نانومتر الجيل الأول.
• عام 2023 تصنيع معالجات 3 نانومتر الجيل الثاني.
• عام 2025 تصنيع معالجات 2025.

كانت شركة إنتل قد أعلنت مسبقًا عن خطط تهدف من خلالها تخطي سامسونج وTSMC في تصنيع المعالجات من خلال إطلاق معالجات بتقنية 1 نانومتر بحلول 2025، وبعدها بدء العمل على معالجات أقل من 1 نانومتر من خلال معمارية RibbonFET الجديدة، كما سبق وأعلنت كوالكوم عن اتفاقها مع إنتل لتصنيع معالجات سنابدراجون المستقبلة بهذه التقنية، في الوقت الذي تقوم به كوالكوم حاليًا بالاعتماد على سامسونج في تصنيع معالجات سنابدراجون بالاعتماد على تقنية 5 نانومتر و4 نانومتر.

يُشار أن الفضل الأكبر في تفوق سامسونج ببيع المعالجات يعود لتعاونها مع كوالكوم وإطلاق هواتفها بمعالجاتها الخاصة، فيما تنافسها TSMC بسبب تصنيعها لمعالجات أجهزة آبل.

المصدر:

Samsung

التدوينة سامسونج بدأت تصنيع معالجات 4 نانومتر وستعمل على إطلاق معالجات 2 نانومتر في 2025 ظهرت أولاً على عالم التقنية.